无线信息传输

在DC~18GHz工作频带范围内，第三代半导体研究院的SiC基GaN HEMT技术，支持28V、48V工作电压，宽带或窄带，连续波或脉冲调制信号的各类功率放大应用需求。支持分立的裸芯片、封装后的晶体管、MCM和MMIC等多样化的应用形式。应用领域涉及无线电通信、广播、探测和定位等各类场景。

射频能源

专为工业级的射频加热应用而改进的GaN HEMT工艺，具备高增益，高效率以及较好的鲁棒性等特点，使得它们得以非常理想地去替代工业级的磁控管，并且有更长的工作寿命和更低的维护成本。

功率电子

第三代半导体研究院的高功率密度GaN HEMT技术，有望支持电力系统的体积和重量减小至现有的1/4，功耗降低至现有的1/4，并且比基于Si的解决方案更便宜。可广泛应用于消费类电子快充、数据中心、再生能源、工业电机/机器人/LED照明、电动汽车等基于电力电子的行业。